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上海寅涵智能科技发展有限公司 > 技术资料 > 英飞凌IGBT命名规则

英飞凌IGBT命名规则

发布时间: 2023/11/29 16:38:04 | 143 次阅读

西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPECFFFZFSFP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.

BSM100GB120DN2K   


BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。

BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)IGBT模块

BYM--------------二极管模块

100-----------Tc=80°C时的额定电流

GA-------- 一单元模块

GB----------两单元模块(半桥模块)

GD----------六单元模块

GT----------三单元模块

GP----------七单元模块(功率集成模块)

GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)

GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)

120-------额定电压×10

DL------低饱和压降

DN2----高频型

DLC----(EmCon)二极管的低饱和压降

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